ក្រាហ្វិច SiC Crucible

1. បច្ចេកវិជ្ជាទំនើប: វិធីសាស្ត្របង្កើតផ្សិតដែលប្រើគឺស្មើគ្នា សម្ពាធខ្ពស់ molding ជាមួយ isotropy ល្អ ដង់ស៊ីតេខ្ពស់ កម្លាំងខ្ពស់ បង្រួមឯកសណ្ឋាន និងគ្មានពិការភាព។
2. ធន់នឹងច្រេះ៖ ឈើឆ្កាងមានជួរសីតុណ្ហភាពពី 400-1600 អង្សារសេ ហើយអាចជ្រើសរើសបានតាមជួរផ្សេងៗគ្នា។
3.ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់៖ វត្ថុធាតុដែលមិនមែនជាលោហធាតុអសរីរាង្គដែលបានប្រើមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ហើយមិនណែនាំភាពមិនបរិសុទ្ធដែលបង្កគ្រោះថ្នាក់ទៅក្នុងដំណើរការរលាយលោហៈឡើយ។
4. ធន់ទ្រាំនឹងអុកស៊ីតកម្ម៖ ការប្រើប្រាស់រូបមន្តកម្រិតខ្ពស់ និងសារធាតុប្រឆាំងអុកស៊ីតកម្មដែលបាននាំចូលជួយបង្កើនសមត្ថភាពប្រឆាំងអុកស៊ីតកម្មនៃសម្ភារៈ refractory ។
ស្ថេរភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់៖ SiC មានស្ថេរភាពកម្ដៅដ៏ល្អ ហើយអាចទប់ទល់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ដោយមិនខូចទ្រង់ទ្រាយ ឬប្រេះ។SiC crucibles អាចត្រូវបានប្រើនៅសីតុណ្ហភាព 1600 ° C ដែលធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់កម្មវិធីដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

ធន់នឹងគីមីៈ SiC មានភាពធន់ទ្រាំខ្ពស់ចំពោះការវាយប្រហារគីមីដោយអាស៊ីត និងសារធាតុច្រេះផ្សេងទៀត ដែលធ្វើឱ្យ SiC crucibles ស័ក្តិសមសម្រាប់ការប្រើប្រាស់ជាមួយនឹងសារធាតុគីមីជាច្រើន រួមទាំងលោហធាតុរលាយ អំបិល និងអាស៊ីត។

ភាពធន់នឹងការឆក់កម្ដៅដ៏ល្អ៖ SiC មានមេគុណពង្រីកកម្ដៅទាប ហើយអាចទប់ទល់នឹងការប្រែប្រួលសីតុណ្ហភាពយ៉ាងឆាប់រហ័សដោយមិនមានស្នាមប្រេះ។នេះធ្វើឱ្យ SiC crucibles ល្អសម្រាប់កម្មវិធីដែលពាក់ព័ន្ធនឹងការឡើងកំដៅយ៉ាងលឿន និងវដ្តត្រជាក់។

ការចម្លងរោគទាប៖ SiC គឺជាវត្ថុធាតុអសកម្មដែលមិនមានប្រតិកម្មជាមួយសារធាតុភាគច្រើន។នេះមានន័យថា SiC crucibles មិនបំពុលសម្ភារដែលកំពុងដំណើរការ ដែលមានសារៈសំខាន់សម្រាប់ការស្រាវជ្រាវវិទ្យាសាស្ត្រសម្ភារ និងកម្មវិធីឧស្សាហកម្ម។

អាយុកាលប្រើប្រាស់បានយូរ៖ ឈើច្រត់ SiC អាចមានរយៈពេលជាច្រើនឆ្នាំជាមួយនឹងការថែទាំ និងការថែទាំត្រឹមត្រូវ។ហើយពួកវាគឺជាជម្រើសដ៏មានប្រសិទ្ធភាពមួយបើប្រៀបធៀបទៅនឹងប្រភេទឈើច្រត់ប្រភេទផ្សេងទៀត។

ចរន្តអគ្គិសនីខ្ពស់៖ SiC គឺជាសម្ភារៈ semiconductor ដែលមានចរន្តអគ្គិសនីខ្ពស់ ហើយពួកវាស័ក្តិសមសម្រាប់ប្រើប្រាស់ក្នុងកម្មវិធីអេឡិចត្រូនិក និង semiconductor ។